瑞薩電子(Renesas)推出六款第8代G8H系列絕緣閘雙極電晶體(IGBT)新產品,可降低太陽能發電系統的功率調節器的轉換損耗,以及降低不斷電系統(UPS)的變頻器應用。新推出的六款產品版本為650V/40A、50A、75A,以及1,250V/25A、40A、75A。瑞薩同時達成業界首創為內建二極體的1,250V IGBT提供TO-247 plus封裝,為系統製造商提供更高的電路組態彈性。

瑞薩電子運用其為功率轉換領域設計低功耗IGBT的專業技術,使第8代IGBT達到最佳化,並在程序結構中採用獨家的通道閘組態。相較於前代IGBT,新款產品可提供更快速的切換效能,它是IGBT效能指數的重要項目,同時藉由降低飽和電壓(Vce(sat))以減少導通損耗。另外,第8代裝置的效能指數較第7代IGBT最高提升30%,有助於降低功率損耗並為使用者系統提升整體效能。上述改良對於聚焦於光電(PV)變頻器、UPS、工業馬達驅動器及功率因數校正(PFC)等電力產業的關鍵市場而言非常重要。

在太陽能發電系統中,當陽光透過太陽能面板產生的直流電(DC)通過變頻器電路轉換為交流電(AC)時,不可避免地會發生一些功率損耗。由於上述功率損耗大多數發生在所使用的功率裝置,因此降低IGBT的功率損耗將為使用者系統的發電效能帶來直接的正面效益。同樣地,對於伺服器機房與資料中心內的UPS系統而言,電力必須持續通過電源轉換器電路,以監控電源供應是否發生中斷,這表示系統運轉期間將穩定產生的功率損耗。IGBT效能是降低此功率損耗的關鍵。