英飛凌科技(Infineon)與Cree宣佈已簽訂最終協議,英飛凌將收購Cree旗下的Wolfspeed功率與射頻(RF)部門,此收購包括功率與射頻功率的SiC晶圓基板事業;此全額現金支付的交易的收購金額為8.5億美元(約7.4億歐元)。

英飛凌表示,此收購讓該公司能夠提供最廣泛的複合半導體產品,並進一步強化英飛凌在電動交通、再生能源及與物聯網(IoT)相關的次世代行動通訊基礎設施等高成長市場上作為功率和射頻功率解決方案供應商的領導地位。

Wolfspeed 位於美國北卡羅萊納州三角研究園區(Research Triangle Park),近30年來隸屬於Cree旗下,是 SiC 功率及 GaN-on-SiC 射頻功率解決方案的主要供應商,其核心能力包括 SiC 晶圓基板製造以及射頻功率應用的 SiC 單晶氮化鎵層。

此外再加上 550 多名優秀員工和約 2000 件專利和專利申請案的強大 IP 矽智財產品組合,讓英飛凌在 2015 年初收購國際整流器公司 (IR) 之後,更進一步補強了事業競爭力。Wolfspeed 的 SiC 產品也以極理想的方式加入英飛凌的產品陣容。

以複合半導體為基礎的功率管理解決方案具備多項優勢,有利於英飛凌客戶開發能源效率更高、體積更小且成本更低的系統。結合各項完備的技術、產品與製造能力,英飛凌與 Wolfspeed 將攜手加速元件開發,協助客戶打造差異化系統。受益於 SiC 技術的主要領域為再生能源與汽車電子,而這兩個領域皆可受益於更高的功率密度與能源效率。在汽車電子應用方面,SiC非常適合業界最近迅速發展的插電式油電混合車和全電動車 (xEV)。結合雙方的產品與技術能力,可望大幅加速以複合半導體為基礎的新產品開發及上市時程。

諸如5G以上的次世代行動通訊基礎設施標準將採用最高 80 Ghz 的頻率。唯有先進的複合半導體可在如此高的頻率之下提供所需效率。GaN-on-Si 能夠提升整合成效,在高達 10 Ghz 的操作頻率之下體現絕佳優勢。

GaN-on-SiC可在高達80Ghz頻率之下實現最大效率。兩種技術對於次世代行動通訊基礎設施而言都至關重要。結合自家的矽基LDMOS 產品,英飛凌完成併購之後將可供應業界種類最完備的射頻功率元件。

此收購後的產品組合也將推動英飛凌「從產品到系統」的策略。此外,英飛凌也將受惠於加速採用SiC和GaN元件的早期採用者市場,例如電動車、高階光電變頻器、xEV 充電基礎設施和行動通訊基礎設施中的射頻功率元件等。

截至2016年3月27日的12個月以來,英飛凌收購的這份事業創造了1.73億美元的預估營收。本收購案也將立即上調英飛凌的調整後每股盈餘和利潤率。英飛凌將利用銀行融資的 7.2 億美元及 1.3 億美元的自有現金來支付交易金額。

以現金和貸款完成交易後,英飛凌將維持穩健的財務狀況。英飛凌的資本結構將與先前公布的目標保持穩定一致,亦即 10 億歐元的總現金外加 10% 至 20% 的營收,而總債務對息稅折舊攤銷前盈餘 (EBITDA) 之比亦不超過2倍。Cree 董事會與英飛凌監事會已核准此項收購。本收購案仍需獲得相關司法管轄區監管部門的批准,預計在2016年底完成。