英飛凌科技(Infineon Technologies)旗下IR HiRel推出第一款採用專屬N通道R9技術平台的抗輻射MOSFET;這對於高傳輸量衛星系統等應用而言非常重要,可大幅降低其每位元價格比(cost-per-bit-ratio)。

相較先前的技術,這款100V、35A的MOSFET在尺寸、重量、功率上都更加精良。非常適用於年限高達15年以上的應用,包括太空等級直流對直流轉換器、中間匯流排轉換器、馬達控制器及其他高速切換設計等。

由英飛凌IR HiRel事業體開發的IRHNJ9A7130和IRHNJ9A3130具備完全抗TID(總游離劑量)的功能,抗輻射性分別為100kRad及300kRad,25mΩ的RDS(on)(典型)比前一代裝置低33%,結合了強化的汲極電流能力(從22A提升到35A),使MOSFET在切換應用上能夠增加功率密度,降低功率損失。

英飛凌IR HiRel為太空艱難任務應用提供強化抗輻射MOSFET系列產品。IRHNJ9A7130和IRHNJ9A3130採用密封、輕量、表面黏著陶瓷封裝(SMD-0.5),也提供裸晶類型。

這款MOSFET已提升抗單粒子事件效應(SEE)能力,並具備高達90MeV/(mg/cm2)的直線能量轉移(LET)實用效能,比前一代高出10%以上。兩款新裝置均採用密封、輕量、表面黏著陶瓷封裝(SMD-0.5)技術,尺寸僅10.28mmx7.64mmx3.12mm,也提供裸晶類型。

IRHNJ9A7130及IRHNJ9A3130目前已量產,也提供樣品。