晶圓代工大廠聯華電子(United Microelectronics Corp.;UMC)表示,就美光科技(Micron Technology)在中國的子公司提起專利侵權訴訟。該反訴的時間就發生在美光於美國對聯電提起訴訟之後近一個月。

隨著中國尋求建立國內半導體產業以抵制每年數十億美元的晶片進口,美國和中國之間在記憶體領域的法律衝突已注定難以避免;中國的目標是要從由三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光主導的記憶體晶片業務市場上搶奪市佔率。

聯電一直致力於在中國這個全球最大、發展最快的半導體市場擴展其業務。除了在中國經營代工廠外,該公司還向當地的多家公司授權記憶體技術。

聯電在上週五的新聞發佈中表示,「聯電在進行深入研究後發現,美光在中國大陸銷售的產品確實侵犯了該公司的專利權,因而尋求專利侵權訴訟以獲得公正的判決。」

去年12月4日,美光根據《保護營業秘密法》(Defend Trade Secrets Act) 和《反勒索及受賄組織法》(Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act)向北加州聯邦法院提起民事訴訟,指控聯電和中國福建晉華積體電路公司(JHICC)盜竊其商業秘密和其他不當行為。

晉華積體電路公司已從聯電轉讓技術,並在當地投資56.5億美元興建一家晶圓廠進行記憶體晶片生產。據該公司網站介紹,晉華積體電路公司是中國「十三五」(13th Five-Year-Plan)重要製造業佈局的一部份。

這一切都是在中國巨大的記憶體業務背景下發生的。大約一年前,中國在武漢市宣佈了一個240億美元的記憶體專案。長江存儲(Yangtze River Storage Technology;YRST)成為該專案的主導者,其目標是打造3D NAND晶圓製造廠。該廠的背後投資者是中國政府支持的清華紫光集團(Tsinghua Unigroup)。此外,清華紫光在南京還有另外一個DRAM和3D NAND計劃。這兩項計劃的總投資超過540億美元。

聯電的反訴

聯電表示已於福州市中級人民法院對美光半導體(西安)公司和美光半導體(上海)公司提起訴訟。這起訴訟涉及涉嫌侵犯聯電在中國的三項專利權,包括與DDR4、固態硬碟(SSD)和繪圖卡所使用的記憶體相關應用。

在訴狀中,聯電已經要求法院命令被告停止生產、加工、進口、銷售和打算銷售涉嫌侵權的產品,銷毀所有庫存和相關的模具和工具,並要求美光賠償聯電總金額約2.7億元人民幣(4,180萬美元)的損失。

編譯:Mike Zhang

(參考原文:UMC Files Countersuit Against Micron,by Alan Patterson)