江蘇江陰,2017年9月15日,中芯長電(SJSEMI)與美國公司(Qualcomm Technologies)共同宣佈:中芯長電已經開始Qualcomm 10nm晶片超高密度凸塊加工認證。這標誌著繼中芯長電經過一年大規模量產28nm和14nm晶片凸塊加工之後,製程技術和能力進一步提升。

在我參加去年7月該公司14nm凸塊加工量產的活動後,曾在報導文章中提及「一顆棋子,但佈了個大局」。從今年的宣佈來看,在第一顆棋子佈出後,中芯長電開始進入下一步的持續戰略佈局環節中。

由14nm升級至10nm、二期廠房奠基、記憶體測試和加工平台、吸引更多的投資等等,中芯長電將一個連一個的棋子在棋盤中擺放著位置。

10nm的戰略地位

無疑,在中國半導體製造和封測的產業鏈中,中芯長電以10nm和14nm佔據在領先地位。

「我非常自豪我們的團隊能夠在短時期內展示出世界先進水準的中段晶片製造營運管理和服務能力,並且被Qualcomm所認可。與Qualcomm這樣的世界一流公司合作,起步壓力很大、門檻很高,但是感謝其一貫支持,不僅幫助我們成功地在中國建立了領先的12英吋凸塊加工生產線,並且快速地實現了穩定高效、高品質、大規模的量產。」中芯長電半導體CEO崔東表示,「此次我們的10nm晶片超高密度凸塊技術開始認證,體現了Qualcomm對我們公司和團隊能力以及執行力的高度肯定,相信更能推動公司發展到更高技術水準。」

通過認證後,中芯長電將成為中國大陸第一家進入10nm先進製程技術節點的半導體晶片製造公司,繼續躋身於世界先進的製程技術節點產業鏈。

縱觀現有的棋盤,中芯長電的進程離不開其背後母公司中芯國際的推動。對於中芯國際而言,除了自身的前端代工業務之外,在後端的封測領域,也成為長電科技的最大股東。這是一個清晰、高效的生態鏈佈局。

中芯長電成立於2014年8月,在2016年實現了28nm和14nm晶片凸塊加工的量產,目前已實現12英吋晶圓單月超1萬片的大規模出貨。中芯長電在超高密度凸塊加工製程上,不僅實現了先進的生產良率,並在接觸電阻、超低介電常數(ELK)材料缺陷控制等關鍵技術指標上,達到領先水準,形成了獨特的競爭優勢。

在當天舉辦的「先進技術節點積體電路產業鏈深化合作研討會」的現場,Qualcomm Technologies全球營運資深副總裁陳若文向中芯長電CEO崔東頒發了Qualcomm 10nm晶圓,以示紀念。

20170926_SJSEMI_NT61P2 授予10nm晶圓

據悉,中芯長電是Qualcomm近幾年來唯一新引入的中段凸塊加工製造商。

陳若文博士認為:「此次10nm超高密度凸塊加工開始認證,表明中芯長電在中段凸塊加工領域取得突破性進展,製程技術水準達到了世界一流。未來,10nm凸塊加工將進一步強化Qualcomm在中國半導體供應鏈產業的佈局,體現了我們支援中國本土IC製造產業升級的承諾。」

此次開始10nm超高密度凸塊加工的認證,標誌著世界一流客戶對其整體營運水準的認可,也意味著該公司技術能力的進一步提升。

二期J2A廠房工程奠基

這又是一個大手筆。

中芯長電一期營運所使用的生產廠房為租賃長電科技廠房改造而成。二期項目由中芯長電公司自建,項目佔地共273畝,將建設三個先進的晶片加工廠,從事先進的中段晶片和3D系統整合晶片研發和製造。

本次舉行奠基儀式的是二期專案規劃三座廠房中的第一座:J2A廠房項目。此次開工項目佔地面積總共近18,000平方公尺,建築面積超過62,000平方公尺。

二期項目的建設,將確保中芯長電有條件及時擴大產能規模,以適應不斷增長的對IC先進製程技術節點配套需要的先進晶片級封裝的市場需求,使該公司在一期專案高起點、快速度順利起步的基礎上,更好地為國內外高階客戶提供持續穩定的量產保證。

20170926_SJSEMI_NT61P1 奠基儀式

20170926_SJSEMI_NT61P3 二期總體規劃示意圖

按照崔東的介紹,其二期專案建設,仍將繼續按照產業鏈協同發展的戰略,充份考慮與長電科技、星科金朋江陰公司的業務銜接,提供客戶更多形式、高水準的一站式服務。

中芯長電的建設速度值得讚揚:用一年時間完成生產線建設、一年實現規模量產,一步跨入世界一流客戶的供應鏈,並於2017年7月開始了14nm高密度凸塊加工,成為中國首家進入14nm IC產業鏈的晶片加工企業,實現了高水準、快速度建設的初期目標。今年,該公司營運規模快速提升,月晶片加工量已達到過萬片,實現了穩定高效、高品質、大規模的量產。

並進的記憶體產品測試和加工能力

在針對中國蓬勃發展的記憶體市場,公司發揮在晶片測試服務領域深厚的技術優勢,驗證和引進了T5800系列測試平台。該測試平台具有測試精度高、速度快的優勢,將能滿足中國記憶體晶片技術水準提升的更高技術需求,也顯著提高記憶體產品的測試效率。該測試平台還具有廣泛的產品適用性,不僅適用於NOR Flash的測試,也能滿足NAND和DRAM產品的測試需求。

為全方位服務記憶體產品市場,滿足記憶體產品較為獨特的封裝需求,中芯長電還推出了低溫再佈線晶片級封裝技術,已用於客戶的產品加工。

朱一明,兆易科技CEO,也在當天的探討會中分享了他對特殊記憶體發展趨勢的觀察。他提及了最近發生的中國資本並購海外公司受阻案、以及國際記憶體器件價格的異動,希望中國製造和封測產業鏈儘快完善。

20170926_SJSEMI_NT61P4 朱一明分析特殊記憶體的發展趨勢

持續引入投資

在研討會上,中芯長電與國家開發銀行江蘇省分行簽署了50億人民幣開發性金融合作備忘錄。

中芯長電半導體公司的產業定位、營運能力和發展前景為國家開發銀行江蘇省分行所認可。根據中芯長電的業務發展規劃和融資需求,以及國開行對中芯長電的信用評審結果,自2017年至2022年期間,雙方在各類金融產品上的意向合作融資總量為50億元人民幣或等值外匯。國家開發銀行江蘇省分行還將在未來五年按照國家及開行政策進一步支援中芯長電項目建設,積極引導其他金融機構及各類社會資金支持中芯長電建設成為國際領先晶片級中段加工企業。

20170926_SJSEMI_NT61P5 簽約儀式

借助此資金和其他資金,中芯長電將能夠加大對先進製程技術和應用的研發力度,加大客戶拓展的力度,加快廠房建設和產線建設,滿足大規模產能的需求。

中芯長電曾先後獲得中芯國際、長電科技、國家IC產業投資基金和美國高通公司的投資,註冊資本金總計達到3.3億美元,規劃總投資12億美元。

「精微至廣,中道流長」

「精微至廣,中道流長」,這是中芯長電CEO崔東對公司發展的定位和展望。

「技術越先進,客戶對合作的要求就更高。我們需要提供先進節點和高品質的產品,同時,把自己放在全球產業鏈中,」崔東表示,「中芯長電在成立的三年時間裡,在凸塊技術上達到了世界級水準,製程的種類也已展開,為先進技術節點提供領先的服務。」

他展望道:「新廠房將于2018年底建設淨化車間,至2019年投入使用。中芯長電未來將不是一個單純的凸塊技術公司,會擴展到2.5D、3D領域。」

在此,恭喜中芯長電獲頒中芯國際「最佳服務商」獎盃。

中芯長電作為中芯國際12吋凸塊服務的合格供應商,於2016年3月通過客戶28nm技術凸塊加工驗證,月出貨量持續快速增長,達到萬片規模,良率高達99.95%。

20170926_SJSEMI_NT61P6 中芯國際CEO趙海軍為中芯長電崔東頒獎

中芯長電成立的目的是填補產業鏈空白,克服前段製程技術節點演進帶來的不斷升高的中後段產業鏈製程技術門檻,完善和推動本土先進技術節點IC產業鏈整體水準的提升。該公司在配套中芯國際28nm晶片高密度凸塊加工大規模量產的同時,加大研發和投資力度,再佈線(RDL)製程也達到了量產水準,特別是通過中芯國際前段ELK方面的合作,使得公司在提供先進技術節點配套需要的先進晶片級封裝能力方面,具有特別的優勢。

與此同時,中芯長電也獲得了中芯國際Interposer技術授權和製程轉讓。

中芯長電的遠景是透過持續創新,不斷開創3D晶片整合加工新紀元。中段晶片加工和3D整合加工的三項最基本的製程是凸塊製造(Bumping)、再佈線(RDL)和矽穿孔(TSV)。獲得中芯國際的技術授權和轉讓後,中芯長電具備了完整的基本製程能力。這也標誌著該公司能夠成為全面配套先進技術節點對各種先進晶片級封裝技術需求的中段晶片加工和3D整合晶片加工企業。

附:中芯長電一期量產報導文章,《里程碑:中國大陸半導體製造業跨入14nm時代!》