貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始供應NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS電晶體。MRFX1K80H屬MRFX系列的射頻(RF) MOSFET電晶體產品之一,採用最新的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術。MRFX1K80H採用的LDMOS技術有助於提高寬頻應用的輸出功率,同時維持適當的輸出阻抗。

貿澤電子供應的NXP MRFX1K80H LDMOS電晶體能在65V下提供1800W連續波,適用於1.8至470MHz的射頻應用,在所有相位角度下提供65:1的電壓駐波比(VSWR)。此裝置提供50歐姆的阻抗匹配,有助於縮短整體開發時間。

MRFX1K80H專為30V至65V的延伸功率範圍所設計,具有高崩潰電壓,可靠度更高,效率更為優異。系統電壓提高,電流下降,可限制對DC電源供應器造成的應力,進而減少磁輻射。裝置提高輸出功率,亦有助於降低合併的電晶體數量,同時簡化功率放大器的複雜度,並降低整體大小。

MRFX1K80H適用於具有適當偏差的線性應用,提供整合式靜電放電(ESD)防護,改善C類放大器的運作。MRFX1K80H的目標應用包括工業、科學與醫療(ISM)應用,以及廣播、航太與行動無線電設備。