三星電子(Samsung Electronics)宣佈量產其第二代10奈米等級8Gb DDR4 DRAM,該元件速度號稱可達3,600 Mbps,而且不須使用極紫外光(EUV)技術。標示為10奈米等級的元件特徵尺寸為10~19奈米。

三星記憶體事業部門總裁Gyoyoung Jin在該公司新聞聲明中指出,其第二代DDR4 DRAM的電路設計與製程新技術,讓該公司突破了「DRAM擴展性的主要障礙」,以迎合市場龐大需求;他並指出,三星將加速此新產品的量產,同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產量。

由於供不應求,DRAM晶片市場在今年一整年皆表現強勁,價格亦持續上揚;市場研究機構IC Insights預期,2017年DRAM市場將達到74%的成長率,是自1994年以來的最大成長幅度。

三星計劃在2018年的7奈米節點製程轉向採用EUV技術,不過EUV應用於DRAM量產的時程尚未明確;因為DRAM單元的結構相對簡單,業界普遍認為DRAM生產需要用到EUV的時間點,會比其他元件來得遲。

三星表示,該公司生產的第二代10奈米等級DRAM因為採用了更先進的技術,可在速度、性能、效益方面超越第一代元件;新技術包括高敏感度的單元資料感測系統(cell data sensing system)以及進步的「空氣間隔」(air spacer)解決方案。

根據三星的介紹,該資料感測系統能實現更精準確定每個記憶體單元內儲存的資料,提升電路整合度以及製造生產力;同時新一代元件在字元線(bit lines)周遭放置了空氣間隔,可降低寄生電容,達到更高等級的微縮以及快速的單元運作。

三星表示,其第二代10奈米8Gb DRAM的生產力能比第一代提升30%,同時在性能與省電效益方面各有15%與10%的提升;新元件運作速度為每接腳3,600 Mbps,在2016年生產的第一代晶片運作速度則為3,200 Mbps。

此外三星也指出,在第二代10奈米等級DRAM所採用的創新技術,將讓該公司能加速未來DRAM晶片的問世,包括DDR5、HBM3、LPDDR5與GDDR6。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Samsung in Production of Second-gen 10nm DRAM,by Dylan McGrath)