法國格勒諾布爾的一家半導體IP新創公司發佈了基於磁阻RAM (MRAM)的微控制器(MCU),瞄準以電池供電的物聯網(IoT)和穿戴式裝置市場。

這家名為eVaderis的新創公司提供與CMOS兼容的非揮發性記憶體IP產品,例如記憶體區塊、邏輯單元以及記憶體和處理器子系統。該公司表示,已經在Beyond Semiconductor BA2x產品線中展示一款超低功耗MCU的全功能設計平台,包括軟體、系統和記憶體IP。

eVaderis副總裁兼技術與行銷部門負責人Virgile Javerliac在接受《EE Times》採訪時表示,這次出樣展現eVaderis「在低功耗數位裝置上的非揮發性嵌入式IP設計和流程的效益」。他強調:「我們不是在開發MRAM技術本身,而是在開發基於MRAM技術的架構。」

當MRAM生態系統中的其他人提供「基於MRAM的客製或類比巨集」時,JaVaLiIs表示,eVaderis採取了「一種提供IP和MRAM編譯器的數位方法」。該新創公司與GlobalFoundries建立了IP合作夥伴關係,計劃為半導體製造商授權用於生產40奈米(nm)以下晶片的基礎IP。

Beyond Semiconductor執行長Matjaz Breskvar指出,該展示的目標是功耗,這對任何以電池供電的裝置來說仍是一個關鍵的挑戰。「自eVaderis公司成立以來,我們一直與他們合作,以前所未有的節能效率,共同實現永不關機的以電池供電裝置。」

該公司表示,MCU採用了研發機構IMEC的垂直自旋轉矩MRAM技術,實現了高速讀/寫和低電壓的非揮發性操作。該元件採用GlobalFoundries的40nm低功耗CMOS製程製造。

該架構提供3Mbits的晶片記憶體,完全分佈在系統中,用於工作記憶體、配置、狀態保持、程式碼執行和資料儲存等功能。根據eVaderis,該新創公司的記憶體IP架構支編譯器友善介面,有助於晶片製造商縮短上市時間。

由於MRAM使用磁性電荷來儲存資料,所以當電源關閉時,它仍將保留資料,而且只需要少量的電力即可儲存資料位元。相形之下,SRAM和DRAM使用電荷來儲存資料。由於MRAM使用磁場而不是電路來寫入和儲存資料,因此所需的功率也比其他記憶體儲存系統更低。

因此,eVaderis表示,其嵌入式MRAM技術能讓MCU在系統級和軟體級實現功耗、性能和功能增益,支援節能、非揮發性檢查點設置,以及具有近零延遲的常開/瞬時啟動作業等功能。

來自意法半導體(STMicroelectronics)和法國替代能源和原子能委員會CEA的工程師於2014年聯手成立了eVaderis。去年加入GlobalFoundries FDXcelerator合作夥伴計劃,提供與GlobalFoundries的22FDX技術兼容的可擴展、先進記憶體IP。

編譯:Mike Zhang

(參考原文:Startup tapes out MRAM-based MCU demo for IoT,by Nitin Dahad, European correspondent, EE Times)