英特爾(Intel)和美光(Micron)計劃在明年初之前暫緩雙方就NAND快閃記憶體(flash)建立的長期合作關係。

英特爾和美光日前發表聯合聲明表示,雙方在第三代3D NAND的合作研發工作預計在今年晚些時候(或2019年)完成,之後雙方將正式分道揚鑣,但仍將繼續共同開發和製造3D XPoint非揮發性記憶體。

根據Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示,英特爾在中國大連的300毫米晶圓廠從兩年前開始生產3D NAND,使英特爾不再僅依賴美光作為供應商。Handy說:「我認為這是兩家公司分開的好時機。」

他補充說,當英特爾與美光在2006年合資成立IM Flash Technologies (IMFT)時,雙方都不知道是否能在NAND業務中取得成功。因此,當時他們分開投資是有道理的。但Handy也補充說:「最近,這兩家公司開始各顧各地投資自己的產線,而不和對方商量了。」

到了2012年時候,英特爾把多數IMFT廠的股份賣給了美光,而只保留Lehi這一個據點。此後,雙方就開始各自興建自己的產線。

20180112_IMFT_NT03P1 IMFT在美國猶他州Lehi的製造廠外觀(來源:Wikipedia)

不過兩家公司的 NAND 銷售策略迥異。據IC Insights資深市場研究分析師Rob Lineback表示,英特爾和美光如今各自在NAND快閃記憶體方面都有不同的議程和業務需求。儘管英特爾的NAND快閃記憶體主要用於資料中心和企業伺服器市場的固態硬碟(SSD),而美光的SSD則廣泛用於筆記型電腦等產品,而且也持續直接供應OEM。

Lineback指出,位於美國猶他州Lehi的IMFT工廠將來只能用於製造3D XPoint。Lineback說:「IMFT合資企業在成立12年後,如今正朝著新的使命和目標前進。」

包括英特爾和美光目前正推出基於其第二代64層3D NAND技術的產品,並正研發可實現 96 層堆疊的第三代產品,預計將在 2018 年底到2019 年初問世。而此一製程之後,英特爾和美光也將各走各的路。

(參考原文:Intel, Micron to Shelve NAND Flash Partnership,by Dylan McGrath)