智慧型手機使用者不斷尋求更好的行動體驗,除了提升裝置的處理性能以外,還需要更高容量的儲存,才足以支援5G、人工智慧(AI)、擴增實境(AR)、高解析視訊等以資料為導向的新一代應用。以往容量僅16GB、32GB的智慧型手機已無法滿足當前的行動應用需求,從而為3D NAND快閃記憶體(flash)的進展鋪路。

Western Digital (WD)最近推出採用64層堆疊的3D NAND技術以及UFS與e.MMC介面的全新iNAND嵌入式快閃記憶體(EFD)系列,可望讓智慧型手機使用者能夠充份體驗當今由資料驅動的新興行動應用。

隨著智慧型手機用戶數持續增加,各種行動應用程式(app)的下載量、豐富的多媒體內容,以及照片和視訊擷取產生的資料量正如雪球般地越滾越大,再加上5G、AI以及AR/VR等資料密集型的新興應用出現,不斷為行動裝置帶來龐大的資料儲存需求。

「3D NAND是快閃記憶體領域的重大進步,可為邊緣裝置帶來巨大的儲存容量與成長潛力。」WD嵌入式與整合解決方案行動和運算產品線市場管理總監包繼紅指出,智慧型手機一直使用嵌入式快閃記憶體儲存與執行應用程式,但隨著平面2D NAND技術逐漸達到微縮極限,越來越難在儲存容量及其效能方面取得突破。

如今,採用創新製程架構的3D NAND技術出現,以更低的每位成本解決了平面2D NAND微縮的挑戰,提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高的可靠性。此外,在當今約有高達96%的資料量都必須在邊緣處理的環境下,為行動裝置採用3D NAND嵌入式快閃記憶體已是大勢所趨。

包繼紅介紹,WD最新的iNAND系列採用X3 3D NAND與SmartSLC技術,可為資料密集型的新興行動應用打造最佳儲存環境。iNAND 8521專為支援5G網路的旗艦行動裝置設計,iNAND 7550則瞄準主流的智慧型手機。

iNAND 8521嵌入式快閃記憶體採用UFS 2.1介面以及WD第五代SmartSLC技術,相較於為旗艦機推出的前一代產品,其連續寫入速度更高2倍,隨機寫入速度更高達10倍。iNAND 8521能快速且智慧地回應使用者對於AR/VR遊戲或下載HD影片等應用效能需求。此外,更高資料傳輸速率,讓行動用戶能利用Wi-Fi或未來的5G網路提升效能與體驗。

iNAND 7550嵌入式快閃記憶體能讓行動裝置製造商生產符合成本效益的智慧型手機與運算裝置,提供充足的儲存空間,滿足消費者持續增加的資料需求以及快速的app體驗。iNAND 7550支援e.MMC 5.1規格,可實現最高260MB/s的連續寫入效能,隨機讀/寫效能分別為20K IOPS和15K IOPS。

20180124_WD_NT31P2 3D NAND採用創新製程架構,提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高可靠性(來源:Western Digital)