根據市場研究公司IC Insights的資料,新的半導體製造產線——特別是DRAM記憶體的導入,預計將推動2018年和2019年的晶圓總產能高於平均水準。

IC Insights最新的全球晶圓產能報告顯示,2018年和2019年晶圓產能預計將成長8%,較2018年至2019年間晶圓產業的年平均成長更高約5%。

去年由於DRAM和NAND快閃記憶體(flash)庫存短缺導致價格上漲,這使得半導體產業的銷售額首次突破了4,000億美元。據世界半導體貿易統計組織(WSTS)統計,去年記憶體營收成長了61.5%,其中,DRAM銷售額增加76.8%,NAND銷售額則增加了47.5%。

20180212_IC_Insights_NT02P1 IC Insights表示,韓國三星電子(Samsung Electronics)和海力士(SK Hynix)都計畫在2018、2019年提高DRAM產能。除了美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)和中國長江存儲科技(Yangtze River Storage Technology),這些記憶體廠商也計畫在未來幾年大幅提升3D NAND快閃記憶體容量。

根據IC Insights的資料,從2017年到2022年,晶圓產能預計每年將成長6%。

IC Insights表示,如果2019年規劃的新產能按計劃上線,該年度所增加的半導體製造產能將達到相當於2007年創紀錄的1,800萬片晶圓。IC Insights認為,這一預估數字是在假設中國的NAND產能將較預期更慢的前提下統計而來的。(編按:IC Insight先前曾估計中國在自行研發的3D NAND量產之前會先遇到大規模的專利訴訟問題,以至量產時間延後。參考閱讀:中國拼記憶體得先打專利戰?

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編譯:Luffy Liu

(參考原文:New Lines to Fuel Semiconductor Production Expansion,by Dylan McGrath)