國際半導體產業協會(SEMI)的「全球晶圓廠預測報告」(World Fab Forecast)最新內容指出,2019年全球晶圓廠設備支出將增加5%,連續第四年呈現大幅成長。除非原有計畫大幅變更,中國大陸將是2018、2019年全球晶圓廠設備支出成長的主要推手。全球晶圓廠投資態勢強勢,自1990年代中期以來,業界就未曾出現設備支出金額連續三年成長的紀錄。

SEMI預測,2018和2019年全球晶圓廠設備支出將以三星(Samsung)居冠,但投資金額都不及2017年的高點。相較之下,為支援跨國與本土的晶圓廠計畫,2018年中國大陸的晶圓廠設備支出較前一年將大幅增加57%,2019年更高達60%。中國大陸設備支出金額預計於2019年超越韓國,成為全球支出最高的地區。

20180314_SEMI_NT21P1

2011~2019年全球晶圓廠設備支出
(來源:SEMI)

繼2017年投資金額刷新紀錄後,2018年韓國晶圓廠設備支出將下滑9%,至180億美元,2019年將再下滑14%,至160億美元,不過這兩年的支出都將超過2017年之前水準。至於晶圓廠投資金額全球排名第三的台灣,2018年晶圓設備支出將下滑10%,約為100億美元,不過2019年預估將反彈15%,增至110億美元以上。

此外SEMI的報告指出,一如先前預期,隨著先前所興建的晶圓廠進入設備裝機階段,中國大陸的晶圓廠設備支出持續增加。2017年中國大陸有26座晶圓廠動工刷新紀錄,今明兩年設備將陸續開始裝機。在中國大陸所有晶圓廠設備投資仍以外資為主。不過2019年本土企業可望提高晶圓廠投資,佔中國大陸所有相關支出的比重也將從2017年的33%,增至2019年的45%。

20180314_SEMI_NT21P2

新建晶圓廠數量
(來源:SEMI)

以產品類別來看,3D NAND將是支出最高的產品類別,2018年及2019年將各成長3%,金額分別達到160億美元和170億美元。2018年DRAM將強勁增長26%,達140億美元,但2019年將下滑14%,至120億美元。為了支援7奈米製程相關投資和提高新產能,2018年晶圓代工業設備支出將增加2%,達170億美元,2019年則成長26%,達220億美元。