貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)電晶體。QPD1025在65V的運作功率達1.8kW,為功率最高的碳化矽基氮化鎵射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別(IFF)應用。

GaN技術的效能與可靠度已獲實證考驗,為基礎架構、國防與航太應用的最佳選擇,適用於雷達、通訊、導航與類似應用。其效能等級更為提升,讓設計人員在節省基板空間、降低系統成本等方面擁有更多彈性,並改善系統效能。

貿澤電子所供應的Qorvo QPD1025L為高電子遷移率電晶體(HEMT),同時支援脈衝與連續波 (CW)運作,能更有效地提供等同於矽基LDMOS裝置的效能。此裝置透過65V電軌供電,提供22.5dB線性增益和77.2%的典型功率附加效率(PAE3dB)。QPD1025L電晶體具備內部輸入預先匹配,可簡化與外部電路板的匹配,同時節省電路板空間。

此電晶體符合無鉛和RoHS標準,受QPD1025L評估板支援。