長江存儲技術公司(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.;YMTC)即將推出最新一代3D NAND晶片。該公司執行長楊士寧將在本週於加州舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)介紹這款新晶片架構,象徵著中國首次公開討論生產先進記憶體的計劃。

長江存儲將介紹針對3D NAND打造的所謂Xtacking技術架構,據稱提供了「堪比DRAM DDR4的I/O速度,同時帶來業界領先的位元密度,象徵著NAND市場的巨大飛躍。」該公司指出,Xtacking能夠「實現NAND陣列和週邊的平行處理……這種模組化途徑[將]縮短新一代3D NAND的上市時間,並開啟客製NAND快閃記憶體產品的可能性。」

該公司被譽為中國之光,長久以來被視為中國最可能提供商用化主流記憶體晶片的公司之一。長江存儲成立於2016年,累積資金高達240億美元,並利用中國武漢新芯集成電路公司(XMC)在武漢的12吋晶圓廠進行生產。

去年,長江存儲曾經發佈了一款32層3D NAND晶片,並表示將在今年推出48層版本。今年2月,一位華爾街(Wall Street)分析師表示,長江存儲的32層NAND晶片產量仍然非常低,顯示可能還需要幾個月的時間才會推出48層元件。

如果長江存儲的目標保持不變,那麼它與其大型競爭對手之間的差距將只有一、兩步之遙。英特爾(Intel)、美光(Micron)、三星(Samsung)以及東芝(Toshiba)/WD等公司都已經發佈或正出貨96層、每單元4位元的元件了。三星並指稱其晶片可達到類似DDR4的速度——約1.4Gbits/s。

長江存儲發佈此消息之際,正逢中美貿易緊張局勢升溫,而半導體一直是這場戰爭的導火線。

多家產業貿易組織長期以來一直在遊說美國政府,期望協助在中國建立一個公平的競爭環境。他們聲稱,中國政府正大力投資晶片業,並要求外國公司進行技術移轉,以換取市場准入。然而,他們抗議川普政府(Trump administration)最近的關稅政策,並批評它是一種無效甚至有害的方法。

長江存儲表示,其Xtacking架構打造的晶片將用於「通用快閃記憶體儲存」(UFS),以及智慧型手機、PC和資料中心的客戶端和企業固態硬碟(SSD)。該公司聲稱它「得到了客戶、業界合作夥伴和標準組織的協助,可望[開啟]高性能NAND解決方案的全新篇章。」

三星曾經是率先在快閃記憶體高峰會上發佈商用3D NAND晶片的公司,但諷刺的是,今年並未參與此次活動。三星的缺席,讓長江存儲在所有主要快閃記憶體供應商均參與的展會上順勢成為熱門話題。

編譯:Susan Hong

(參考原文:YMTC to Detail 3D NAND Chips,by Rick Merritt)