根據市場研究公司IC Insights的調查報告,2018年半導體產業資本支出(capex)總額將達到1,020億美元,其中,記憶體晶片的資本支出預計將佔整體產業的53%,幾乎是五年前記憶體所佔比重的兩倍。

根據IC Insights的最新版McClean Report,隨著所有的NAND快閃記憶體(flash)供應商提高3D NAND的產能,預計與NAND相關的資本支出總額將超過310億美元,佔半導體產業總額的31%。不過,相較於2017年NAND Flash資本支出成長暴增91%,今年NAND資本支出總額增幅減緩至13%。

同時,該報告預測,DRAM和SRAM的資本支出增幅將比其他任何產業更高,繼2017年大幅成長82%後,今年將再成長41%。根據該報告,DRAM/SRAM的資本支出預計將達到229億美元,佔整體半導體產業的22%。

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IC Insights預計,全球半導體產業總計將達到1,020億美元——包括現有晶圓廠產線和全新製造設施的升級,象徵著半導體產業第一次為資本支出注入突破1,000億美元大關。該公司稱,今年的總資本支出將比2017年增加9%,並較2016年的資本支出增加了38%。

IC Insights警告道,經過兩年的資本支出大幅增加後,業界過度看好NAND flash市場需求的風險相當高且不斷成長。IC Insights指出,三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)/Western Digital/ SanDisk和XMC /長江存儲科技(YMTC)都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND flash產能,此外,還有其他新的中國記憶體新創公司可能進入市場。

IC Insights在新聞發佈中指出:「記憶體市場的歷史先例顯示,過多的支出通常會導致產能過剩以及緊隨而來的價格疲軟。」

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編譯:Susan Hong

(參考原文:Memory Forecast to Account for 53% of Semiconductor Capex,by Dylan McGrath)