據《彭博社》(Bloomberg)報導,韓國三星電子(Samsung Electronics)開始削減記憶體產量,以因應市場需求放緩時維持供應均衡。

該報導中援引未具名消息來源表示,三星預計今年DRAM的位元成長將不到20%,而NAND快閃記憶體位元成長則約30%。相形之下,三星今年稍早時曾預估,今年DRAM和NAND的位元成長分別約有20%和40%。

在歷經過去18個月來的大幅成長後,記憶體晶片市場開始走軟,產業分析師並提醒道,在供過於求的情況下,市場即將出現下滑。

2018 Forecast of IC Market Growth by Segment IC Insights 預計在2018年,IC類的成長速度將超過整個半導體市場(來源:IC Insights)

市場研究公司IC Insights預計,DRAM市場將在2017年成長76%,之後並於今年成長約53%。隨著DRAM的平均銷售價格(ASP)增加,持續推動市場成長至今年上半年並進入8月。該公司認為,DRAM的ASP以及隨後的市場成長正處於或接近峰值,「針對計劃產能升級和擴張的DRAM資本支出大幅增加,可能致使陡峭成長的市場從2019年開始剎車。」

IC Insights並預計,NAND銷售額在2017年成長46%後,今年將成長29%。但是,NAND市場的平均銷售價開始下滑。另一家追蹤記憶體晶片價格的研究公司DRAMexchange則表示,相較於第二季,第三季NAND ASP將下跌近10%。

野村(Nomura)旗下研究公司表示,三星再次決定推遲該公司位於南韓平澤(Pyeongtaek)的P2廠DRAM產能投資。此外,三星也將延遲位於南韓與中國一部份計劃的NAND產能投資。該公司的分析師認為,三星推遲的作法目的就在於控制產能供應並支撐價格。

Samsung Pyongtaek Fab 三星位於南韓平澤的晶圓廠(來源:Samsung)

編譯:Susan Hong

(參考原文:Samsung Reportedly Plans to Cut Memory Production,by Dylan McGrath)