TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,NAND Flash市場經歷2018年全年供過於求,2019年在筆記型電腦、智慧型手機、伺服器等主要需求表現難見起色下,預計產能過剩問題難解,因而使得供應商進一步降低資本支出以放緩擴產進程,避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。

根據DRAMeXchange調查指出,2018年因供過於求難以遏制,韓系供應商帶頭降低資本支出,NAND Flash總體資本支出下調近10%,但仍無法翻轉供需失衡情形,2019年轉為美系廠商減少資本支出,使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續下滑約2%,總支出規模約為220億美元。

受到供應商調整擴產計畫影響,儘管各供應商已於2018年第四季起量產92/96層3D NAND,但直至2019年底將僅佔約32%位元產出,而64/72層的產出佔比仍有逾50%。供應商放緩製程的推進,造成2019年NAND Flash位元成長將僅約38%,相比2018年逾45%水準明顯下降。

觀察各供應商產能調整,DRAMeXchange指出,三星(Samsung)持續減產2D NAND產能,加上92層製程消耗更多的廠房空間,2019年運轉產能將較2018年底下調,位元產出成長率降至約35%。由於三星全球市佔率約3成,三星位元產出成長率的放緩對全球產出成長影響較大;SK海力士(SK Hynix Semiconductor)、東芝/威騰(Toshiba/WD)分別有M15,以及Fab 6的新廠擴建,但同樣受到減產計畫或轉產舊製程的影響,產出年成長率有機會低於原先預期。

SK海力士和東芝/威騰原先位元產出成長率預估值分別約為50%與40%水準,但預期會各自下修到50%以下,以及約35%的水位,以反映今年市場需求的急凍。美光(Micron Technology)的新加坡新廠則要等到2020年才正式量產,因此全年產能幾乎維持不變;英特爾(Intel)則除了填滿大連廠產能,並無宣佈其他擴產規劃,美光與英特爾陣營2019年整體位元產出成長接近40%水準,相較2018年45%以上的成長幅度明顯收斂。

從2019年NAND Flash價格走勢來看,DRAMeXchange指出,由於原廠在各產品線的合約價報價跌幅,皆明顯高於原先的預期,顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。因此,NAND Flash 2019年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的10%,一舉提高至20%水準,第二季報價可能將續跌將近15%。下半年雖有旺季需求挹注,跌幅可望略微收斂,但各季價格跌幅仍將維持在10%左右水準,端看原廠們是否能再進一步降低自身產出水位。綜上所述,DRAMeXchange認為,2019年旺季若仍無足夠需求動能支撐,NAND Flash市場均價跌幅則可能擴大至50%水準,近乎腰斬。