2018是不平靜的一年。這一年裡,電子元件產業鏈經歷了多次原材料缺貨、物料供不應求漲價到供過於求跌價。記憶體市場也未能倖免,在2018年記憶體晶片大廠一窩蜂佈局投資擴產,導致產能過剩,造成儲存市場供過於求,導致了消費類儲存產品跌幅過半,影響了企業利潤……

2018年,全球知名的記憶體晶片廠商三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光 (Micron)、東芝(Toshiba)、英特爾(Intel)等爭相在創新技術上展開激烈競爭,更是在投資、建廠、擴產等方面拉開戰局。

三星電子在記憶體上的投資在2018年降至99億美元,其中DRAM投資81億美元,NAND投資18億美元。為了擴大下一代晶片和快閃記憶體的產能,SK海力士在2017的資本支出創下98億美元的記錄,該公司曾計畫將2018年的資本支出增加到134億美元。美光的資本支出也高達81億美元,但低於上述兩家製造商。

2018年,三星得益於 1x nm DRAM和64層NAND產線的效率高於預期,DRAM和NAND位出貨量增長率應該分別為25%和45%。據瞭解,三星計畫在2019年位於平澤的晶圓廠開始量產10nm LPDDR 5晶片。

SK海力士去年也宣佈計畫在韓國利川總部建造一座新的記憶體工廠。這座工廠在2018年底開工建設,計畫在2020年10月完工,SK海力士計畫在這家新工廠投資31.2億美元。此外,SK海力士還在繼續擴大利川M14工廠的產能,該公司還計畫於2018年9月底在完成其位於清州的新工廠的潔淨室設備的安裝,該工廠計畫於2019年初投產。另外,在中國地區,SK 海力士計畫在2018年完成其在無錫工廠的擴建。

美光準備在2018~2019年在台灣工廠擴大其10nm等級DRAM晶片的生產。美光位於桃園的工廠計畫於2018年下半年進入1Xnm的生產並於年底遷移到1Ynm製程節點上。其位於台中的工廠將在2019年下半年放棄1Xnm產品的量產後,轉移到更新的1Znm製程上。

東芝記憶體業務部門2018年在日本岩手縣舉行新型BiCS 3D NAND快閃記憶體工廠的奠基儀式,該工廠預計將於2019年年底完工,Western Digital也參與了該專案。就在去年夏天,東芝計畫在四日市開始啟用其Fab6的第一階段工廠,此舉幫助其在未來幾個月內增加BiCS 3D NAND快閃記憶體的產量,Fab6的第二階段工廠預計於2019年進行部署。

也許是戰局過於激烈,市場行情預估不到位,以致於2018年記憶體廠商持續擴大記憶體晶片產出, 2018全年NAND Flash供應大幅度增加40%。

可誰都沒有想到,在2018年全年,三星、蘋果(Apple)智慧型手機出貨不及預期、中國手機市場競爭激烈,且部分出現銷量下滑的情況,再加上英特爾PC處理器在Q3旺季缺貨,北美資料中心在Q4訂單大幅縮減等誘因,全球NAND Flash市場處於供過於求的狀態,快閃記憶體卡價格跌價幅度過半;SSD價格跌幅達到56%;而消費型NAND Flash價格跌價幅度最大,價格同比下降最高65%。

2018年全球智慧型手機出貨下滑2.7%至14.5億台,中國市場智慧型手機出貨下滑15.5%至3.9億台,在全球市佔份額也下降至26.9%。

為了改善市場的需求關係且最大限度的維持企業利潤,各大廠紛紛下調2019投資預算,推延先進技術的擴產計畫,以及將NAND flash增長率下調來控制價格下跌的趨勢。

看到這裡,也許有人會說,既然記憶體市場產能過剩,相關產品是否會持續降價的頹勢?事實上,記憶體市場需求還是很大的,為什麼呢?

國際電子商情認為,市場對儲存晶片的需求空間還是很大的,晶片廠商在2019年做出的減少產能和推遲量產的計畫後,預計記憶體晶片市場的供過於求的狀態不會一直持續下去,但降價仍會是今年儲存市場的關鍵字。

隨著人們的生活品質提高,層出不窮的新型產品正在出現在我們面前。除了手機,智慧穿戴、家居終端、電視、行車記錄器這些生活必需品以外,一些新興起的的智慧型機器人、人工智慧(AI)助手,還有智慧音箱等產品都成為了炙手可熱的熱門產品。這些消費電子設備產品雖然不如手機、平板等搭載容量快速且大量消耗記憶體晶片產能,但仍有很大的記憶體需求。

近幾年中國智慧硬體行業銷量呈現爆發式增長,在物聯網(IoT)、雲端運算、人工智慧等技術的不斷發展下,差異化的智慧產品層出不窮,且功能不斷升級更新反覆運算快,記憶體晶片需求將不斷增加。相信隨著人工智慧逐漸滲透到人們的生活,與雲端運算、大資料、行動網際網路相融合後衍生的智慧硬體產品被廣泛應用,未來記憶體市場仍有廣闊的市場前景。

本文為EE Times姊妹刊國際電子商情原創文章。