藉由這些產品,英飛凌滿足了電源轉換方案對節能SiC解決方案的快速成長需求,包括:電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、太陽光電逆變器、不斷電系統(UPS)、馬達驅動器,以及伺服器和通訊電源開關式電源供應器(SMPS)。

如同所有先前採用的TO247和Easy功率模組封裝的CoolSiC MOSFET產品,新款離散式裝置採用領先業界的溝槽式 SiC MOSFET 半導體製程技術,兼具最低的應用損耗以及最高的可靠性。此外,根據相關的應用,此閘源工作電壓符合分立封裝解決方案之需求。低動態損耗特性,致使可藉由簡易的單電源閘極驅動方案實現最高的效率。

CoolSiC溝槽技術獨具高於4V的高閾值電壓額定值(Vth),並結合低米勒電容。因此,相較於市場上其他的SiC MOSFET,CoolSiC MOSFET具有最佳的防止寄生導通效應的抗性。全新的英飛凌SiC離散式MOSFET結合+18V的導通閘源電壓與5V餘量以達到最大額定電壓+23V,並具有超越矽(Si) IGBT、超接面MOSFET以及其他SiC MOSFET的優勢。

CoolSiC MOSFET產品組合包含一個適用於硬換流且堅固耐用的本體二極體,為工程師提供實現最高能源效率以及「以更少投入獲得更多產出」的途徑。SiC材料中的MOSFET功能可為功率因子校正(PFC)電路、雙向拓樸,以及任何軟硬切換DC-DC轉換器或DC-AC逆變器提供更高的系統設計靈活性。

英飛凌透過一系列精選的驅動 IC 產品完成其離散元件產品陣容,能滿足超快速SiC MOSFET切換功能的相關需求。CoolSiC MOSFET與EiceDRIVER閘極驅動IC共同運用此技術的優勢:提高效率、縮減空間與重量、減少零件數量,以及提高系統可靠性。這一切將可降低系統成本、減少營運支出及總體擁有成本,有助於在智慧能源世界中實現新的解決方案。

採用TO247封裝的1200V CoolSiC MOSFET 已開放訂購,並提供標準交貨時間。相應導通電阻額定值,採用D2PAK-7封裝的SMD產品組合之工程樣品預計將於2019年第四季提供。採用TO247-3與TO247-4封裝、額定值26 mΩ至107mΩ 的650V CoolSiC MOSFET工程樣品將於 2019年第四季推出。