Ultra C Tahoe清洗設備可應用於光阻劑去除、刻蝕後清洗、離子注入後清洗、CMP後清洗等製程,提升了清洗製程效果、縮減化學藥液成本,並顯著降低硫酸廢液排放量。

由於政府部門對半導體產業的廢液排放加強了監管和限制,以及全球對環境問題的日益關注,因此迫切需要一款既能降低化學藥液用量,又不犧牲清洗製程效果的清洗設備。尤其需要重視的是,目前半導體產業內對排放的廢硫酸的處理方法欠佳,仍有部分地區(如美國)使用填埋式處理,這很有可能會具有污染環境的風險。在部分土地資源受限的地區(如韓國、台灣、上海等),高溫純化處理方法是另一種選擇,然而,高溫純化處理也將面臨著能源耗費以及溫室氣體排放等一系列問題。

Ultra C Tahoe清洗設備在單個濕法清洗設備中整合了兩個模組。在槽式模組中,配有硫酸雙氧水混合液(SPM)清洗與快速傾卸沖洗(QDR),SPM製程藥液在此獨立的槽式模組中迴圈使用,與單片SPM清洗相比,至少可減少80%的硫酸廢液排放。在Tahoe設備中的槽式清洗之後,晶圓將在濕潤狀態下,被傳至單片模組,進行進一步的先進清洗製程。

單片清洗腔體可按客戶需求進行靈活配置,如配備標準清洗液(SC1)、氫氟酸(HF)、臭氧水(DI-O3),以及其他各種製程藥液。單片清洗腔體最多可配置4支擺臂,每支擺臂最多可提供3種製程藥液,還可選配氮氣霧化水清洗擺臂或盛美半導體設備獨有的智慧兆聲波(Smart Megasonix)擺臂進行兆聲波清洗,該系統還可為圖形化晶圓提供所需的IPA乾燥功能。

Ultra C Tahoe清洗設備現已證明其具有可與最先進的單片晶圓清洗設備相匹配的低交叉污染風險、優秀的顆粒去除效果,並且其SPM的消耗量比單片清洗設備低得多。盛美半導體設備用戶端商業大產線資料表示,在30nm條件下,與傳統槽式SPM清洗設備相比,此整合式的Tahoe清洗設備可將晶圓上的顆粒數從數百顆降低到10顆。以每日處理2,000片晶圓為例,Tahoe清洗設備每日消耗硫酸僅不到200L,與單片SPM設備相比,每日可減少超過1,600L硫酸廢液的排放。