意法半導體(STMicroelectronics,ST)已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動ST的車用、工業和消費性功率GaN研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規劃,意法半導體則將為其部署產品提供支援。

ST總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示,ST正擴大對複合材料-GaN的投入,以促進車用、工業和消費性市場客戶採用GaN功率產品。此外,收購Exagan多數股權有助於強化ST在全球功率半導體市場的地位,同時也是其於GaN長遠規劃、生態系統和業務向前邁出的另一步。

GaN屬於寬能隙(WBG)材料家族,其中包括碳化矽。GaN基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步,其效能和功率密度優於矽基電晶體,GaN基板元件節能省電、縮減系統大小。GaN元件適合各種應用,例如伺服器、電信和工業用功率因數校正和DC/DC轉換器;電動車車載充電器和車規DC-DC轉換器,以及電源適配器等個人電子應用。