由於電子元件極為敏感,加上全球環境污染越來越嚴重,針對電子元件附加抗硫化技術,似乎已經逐漸成為工業模組的必要條件之一,其組合應用也更加廣泛,舉凡以抗硫化技術結合底部填充、寬溫(wide temperature),以及VLP(very low profile)與Mini DIMM等技術規格,都早已廣泛應用於各種工業設備中。可以預期的是,由於抗硫化技術已經是一種相當普遍的工業應用,甚至有納入標準化規格的趨勢,未來是否可能進一步影響廠商採購的意向,似乎也是個值得觀察的市場趨勢。

近年被提及的抗硫化技術,原本源自於原油、天然氣、火山氣體的硫化物對於電子產品的影響。但是除了環境中的硫化物質以外,許多工業活動,如食品加工、牛皮紙場、皮革、煉油等都可能產生硫化物質,特別是硫化氫(H2S),它是典型的惡臭類氣體,散佈在空氣中與高溫濕氣作用後,將擴大污染範圍,而且容易與DRAM模組中的所使用的銀引發化學作用,使電極部硫化並造成電阻值異常,導致模組無法正常運作。

為了防止硫化對儲存設備的損害,各廠商都陸續推出抗硫化電阻與DRAM模組。抗硫化是種相對普遍的儲存載體加值技術,不同廠商也各自開發應對的相關做法,而這些記憶體模組的元件,都必須通過抗硫化ASTM B809-95嚴格的測試規範,從實驗的內容來看,這些測試條件往往比真正的硫化工業環境嚴苛數倍以上,因此通過測試規範的模組,皆具備一定的抗硫化功能。簡單來說,目前業界的抗硫化技術大致可分成兩種方向:

第一種是改變電極材料,例如採用其他特殊合金,此方法的成本較高,且不同金屬的電阻值不同,因此是否影響電子元件的效能,仍待後續觀察。

另一種方法,則是將電極用抗硫化材料包覆,避免上層電極與硫化物接觸,此種方法可有效達成抗硫化作用,而且可以確保產品原有的高效能不受影響,因此目前多數國際大廠都採用這種方法。

現今DRAM在長期應用之下,技術發展早已穩定成熟,各家廠商的加值技術規格也相去不遠,市場上對於DRAM記憶體模組的討論常聚焦於價格波動。就目前DRAM的工業應用來看,廠商最在意的往往還是產品穩定性與耐用性。在工業4.0與物聯網擴大應用後,微型化與速度固然是儲存裝置的主要設計需求,但產品是否具備高度耐用性,仍是影響廠商導入最關鍵的先決因素,特別是在工業和公共設備的領域上,物聯網設備一旦完成安裝,運行時間必須維持數年。因此,各家廠商也許應該更努力改善客供服務能力,評估自家產品組合是否完整,以及提升持續供貨的能力,更能有效搶入市場,成為強大的競爭優勢。