ST整合微波射頻合成器涵蓋最高頻率與最大頻寬

2016-03-07
作者 Press Release

意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出新款整合微波頻寬射頻合成器STuW81300,可在單一晶片上涵蓋1.925GHz至16GHz的最大頻寬與最高頻率射頻頻段。與基於III-V技術的低整合度傳統微波射頻合成器相比,STuW81300採用ST其性能卓越的BiCMOS SiGe整合製程,可實現經濟效益更高的多用途射頻架構(降低材料成本)。

意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出新款整合微波頻寬射頻合成器STuW81300,可在單一晶片上涵蓋1.925GHz至16GHz的最大頻寬與最高頻率射頻頻段。與基於III-V技術的低整合度傳統微波射頻合成器相比,STuW81300採用ST其性能卓越的BiCMOS SiGe整合製程,可實現經濟效益更高的多用途射頻架構(降低材料成本)。

STuW81300整合了N型相位鎖定迴路(PLL)核心、低雜訊寬頻電壓控制震盪器(VCO)及穩壓器。此外,STuW81300還提供各種可編程硬體選項,以滿足最新和未來射頻/微波應用的需求,其中包括射頻通訊、衛星通訊、基地台以及測試測量設備。

為因應微波應用市場的迅速擴張,微波頻段(6GHz以上)的使用規模正穩健地成長。市場需要成本最佳化並能夠開拓新市場的新一代射頻設備,而整合離散砷化鎵(GaAs)架構到一顆寬頻SiGe晶片內,則可滿足這一市場需求。

STuW81300的主要技術特性:
‧最寬的工作頻段,1.925GHz-16GHz(可分配給兩個射頻輸出)
‧內部頻寬匹配射頻輸出功率:+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz
‧倍頻輸出基本電壓控制震盪器(VCO)抑制高於20dB
‧標準化頻內(in-band)的相位雜訊):-227dBc/Hz
‧電壓控制震盪器(VCO)相位雜訊(6.0GHz):-131dBc/Hz @ 1MHz偏移
‧雜訊基準(6.0GHz):-158dBc/Hz
‧電壓控制震盪器(VCO)相位雜訊(12.0GHz):-125dBc/Hz @ 1MHz偏移
‧雜訊基準(12.0GHz):-154dBc/Hz
‧0.13ps典型RMS頻率抖動

作為STW81200和STW8110x產品系列的升級(進階版)產品,新射頻合成器提供高性能及高靈活性,同時在同一電路板設計上支援多頻寬和多射頻標準。例如在衛星通訊應用中,STuW81300可直接用作本地震盪器,在電路板連接一個倍頻器,可解調與調制Ku頻段訊號或者Ka頻段訊號。在其它應用中,STuW81300還能夠完全驅動外部電壓控制震盪器(如GaAs)。

5V或3.6V非穩壓單一電源使STW81300在市場上獨一無二,結合了最佳化的功耗和性能,其應用範圍從傳統電力網供電基礎設施擴至低功耗應用。

ST已開始向主要客戶提供STuW81300測試樣品,並獲多家客戶採用,預計於2016年開始量產。ST並可應客戶需要,提供評估套件及6x6mm方形扁平封裝樣品。評估工具包括STWPLLSim軟體工具,讓開發人員能夠依照專案要求快速且準確地修改應用設計。

活動簡介

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