IGBT

2023-02-03 - Majeed Ahmad,EDN主編

SiC vs GaN:寬能隙半導體的不同世界

2022-03-15 - Maurizio Di Paolo Emilio,EE Times歐洲特派記者

新創公司證明S-MOS單元概念可提升SiC MOSFET效率

2022-03-01 - 李晉,國際電子商情(ESMC)

寬能隙功率半導體競爭格局及趨勢分析

2021-12-06 - TrendForce

第三季晶圓代工產值季增11.8%

2021-11-23 - Giovanni Di Maria,Power Electronics News

比較四種開關元件的效率

2021-11-22 - Gina Roos、Maurizio Di Paolo Emilio,作者依序為EPS News執行編輯、Power Electronics News & EEWeb主編

探索Volkswagen ID.3電動車及其電氣化平台

2021-11-19 - 李晉,國際電子商情(ESMC)

解析未來五年SiC/GaN市場應用態勢

2021-11-18 - 顧正書,EE Times China

特斯拉和比亞迪如何應對車用晶片短缺?

2021-11-11 - Maurizio Di Paolo Emilio,EE Times歐洲版特派記者

搶GaN元件產能 BMW與GaN Systems簽署供應協議