用於氮化鎵(GaN)功率元件的閘極驅動光電耦合器

Broadcom

研討會介紹
氮化鎵(GaN)功率元件因具有優於傳統的基於矽的功率元件的許多優點,正在從實驗室進入商業市場。例如,氮化鎵元件的低損耗特性,可以提高效率並支援高頻開關。

氮化鎵元件的競爭格局也逐漸演變成一些關鍵廠商之間的角力,它們的生產穩定增加、從而大大降低了氮化鎵元件的成本。同時,高運作頻率支援採用更小的散熱器和電感,從而降低了整個系統的尺寸。技術優勢加上更低成本,加快了氮化鎵元件在電源和可再生能源逆變器等領域的應用。

博通公司(Broadcom Limited)的閘極驅動光耦已廣泛用於驅動基於矽的元件,如IGBT和功率MOSFET。光耦用於在功率元件的高電壓和控制電路之間提供加強的電隔離。其抑制高共模雜訊(CMR)的能力還可防止在高頻開關期間對功率元件的錯誤驅動。該網路研討會將討論如何使用新一代閘極驅動光耦ACPL-P346和ACPL-352J來保護和驅動氮化鎵元件。

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演講專家
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鄭俊強 – 隔離產品部的行銷經理
鄭俊強是博通公司隔離產品部的行銷經理。2006年, 他加入博通為隔離產品的應用工程師。他現在是全球閘極驅動光電耦合器的產品經理,並參與新產品的開發和市場拓展。鄭俊強持有新加坡南洋理工大學電機工程學士學位。

幸運禮物
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獲獎名單
莊永安 (台湾)         馮天助 (台湾)

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